文档网

CW6685C CW6685D LQFP48 BT MP3 BOOMBOX V1.2(2014.12.09)

1

2

3

4

5

6

7

8

A

电源管理: 1、第40/41/42/43PIN是一个BUCK开关电源电路; 2、电感需要选择最大电流大于60mA的1206封装电感,建议选择CD32绕线电感; 3、C45/L8/C49都要尽量靠近相应PIN脚, C45/C49电容的地要尽快回到第42PIN,C49需要特别注意这两点, 40PIN电容C49需要放置于电感和晶振之间,隔离电感对晶振的影响,电感L8的顶层和底层不能铺地和走线; 4、第40PIN BVIN输入电压范围:2.8V-4.8V; 5、第40/41/42/43PIN还可以通过修改软件配置为LDO线性电源,电感L8更改为NC,电容C45更改为10uF。

GND C46 105 C47 105 C44 225 C48 225 C45 22uF/10uF

GND C41 9pF L8 10uH/NC VDDLDO C49 105 XO_N XO_P

GND C42 9pF

晶振匹配电容C41/C42,晶振及匹配电容要尽量靠近芯片放置,需要根据晶振参数微调,布线要短,否则容易产生频偏。让蓝牙2.4G频率频偏在正负75KHz内。 C43 10uF

AUX LCD_D1/LINEIN

C58 R49 4.7K 104 R70 R52 51K

AGND

NC/4.7K R50 4.7K

2 4 3 1

J6

LINE-IN

USBDM VDDIO VDDLDO RVDD VDDCORE VOUT GND

Y2 26MHz RVDD

AGND AUX布线不能靠近翻转的数字IO,会容易被干扰; R70预留,用于减少AUX悬空干扰。

A

U1 CW6685C/CW6685D R5

48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37

BT-ANT ANTENNA_PIFA R5必须用0R电阻,不能直接短接,用于兼容后续IC,避免重新画板。 C2 0R VCO 225 GND RXTX GND RVDD C51 RVDD 225 SPI_CS SPI_CLK SPI_DAT SD_CLK SD_CMD/IIC_CLK SD_DAT/IIC_DAT C50? LCD_D2/PHIN R53 51K DACR C61 10uF R55 22R LINE-OUT STEREO 32 ohm

USBDM VDDIO VDDLDO RVDD VDDCORE VOUT2V1 VSSLDO LX BVIN XO_N XO_P VCC_IF/VCC_XO

2 4 3 1 AGND

J7

1 L9? L10? L11?

2 根据PCB的板材、厚度和蓝牙天线的形状确定四个元件的取值。

ANT1 QL1 220nH/470nH QC2 102 ANT AGND IIC_CLK IIC_DAT

RTC6218左右声道直接连接在一起会发热,并且影响收音效果 QU1 QC9 104 QC10 NC/104

DCIN C53

105

VBAT R41 56K

S17 POWER/P/P

内部软开关 C55 NC

GND

Y3 32.768K C54 NC

VCM/MICIP DACVSS VDDHP NC VOUTR P01/VCMBUF P00 P35 P17 P13 P16 P33

1 USBDP 2 LCD_D6 3 LCD_D5 4 LCD_D4 5 LCD_D3 6 LCD_D2/PHIN LCD_D1/LINEIN 7 8 IRTWKO 9 OSCO 10 OSCI 11 VDDRTC 12 MICIN R48 20K

USBDP P20 P21 P22 P23 P24/P25 P26 IRTCWKO IRTOSCO IRTOSCI VDDRTC MICIN

VCC_VCO GND_ANT1 RXTX GND_ANT1 VCC_RF VDDQ P36/NC SPI1CLK/P05/NC SPI1DO/P04/NC SDCLK/P30 SDCMD/P31 SDDAT0/P32

36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25

GND

LINEIN和PHIN检测与推屏复用;检测时推屏的其他IO设为输入高阻,开内部200K上拉。

GND GND CW6685C P04、P05、P36作SPI接口,不可更改。 CW6685D P04、P05、P36为NC,不可使用。

LINEIN/EARPHONE VDDIO R33 10K ADKEY R34 0R R35 33K R36 2K R37 S10 P/P S11 NEXT S12 PREV S13 MODE S14 VOL+ S15 VOLS16 HSF S18 NEXT/VOL+ S19 PREV/VOL-

AGND

1 2 3 4

RFI GND SCL SDA

ARO ALO VCC CLK

8 7 6 5

FM_VOUT

VDDIO QL4 600R@100MHz

RTC6218/QN8065

FM_CLK QR4 3K QC3 105 FM_OSC

QR4用于减少芯片对FM的干扰,放置

于靠近主控端,不能省去。

AGND SD_CMD/IIC_CLK SD_DAT/IIC_DAT QR1 1K IIC_CLK IIC_DAT

QR2 1K

VBAT 如果不需要时钟功能,可省去32K晶振,建议保留晶振位置。 C57 104

加磁珠可以让FM效果更好,同时不能与其他电源系统有太多公共路径,如FLASH。

13 14 15 16 17 DACR 18 FM_VOUT 19 AUX 20 MUTE 21 DC_DET 22 ADKEY 23 LCD_D0 IRDAT 24 FM_CLK

B

GND 电容C57和电阻R48不要省,或电容改为105可省去电阻。 VDDRTC一定要接电池供电,供电范围:2.2V-5.0V。

C3

P16/P33均为红外口:

OSCO

FM_OSC NC/101

3.3K R38 5.1K R39

B

VCM AGND VDDHP

无LED屏时红外用P16,FM时钟采用P33直推;有LED屏时红外用P33,FM时钟与32.768K共晶振。

芯片内置软开关: 105 105 1、芯片内置软开关,用S17做开关机键; 2、关机芯片电流约为26uA,如果要求更低的关机电流,改用外部软开关; AGND 3、IRTWKO可做输入检测,或可以做输出,输出电平1.8V,可让外部软开关的三极管导通; 4、用内置软开关时,VDDRTC一定要用电池供电; 5、用内置软开关时必须要有DCIN检测DC_DET,高于4.2V时便于对IC进行保护; 6、用内置软开关时,高MUTE功放要接一个上拉电阻,低MUTE功放要接一个下拉电阻,关机时减少功放的损耗。

C1

C56

CW6685C/CW6685D LQFP48单声道 LED2

重要注意事项: 1、蓝牙外围电容不要删减,影响蓝牙距离和性能,并且这些电容要尽快回到第33/35/42PIN; 2、蓝牙天线匹配元件和芯片底下必须保证一块完整地; 3、芯片第33PIN和35PIN为蓝牙天线地和整个芯片电流地,要尽快打过孔到底层地,并且布线必须足够宽; 3、VDDHP、VCM电容改为10uF,可以改善通话效果和提高DAC信噪比,推荐2.2uF电容; 4、VDDHP和VCM电容要靠近相应引脚,并且要以最短路径回到第14PIN DACVSS; 5、蓝牙晶振及匹配电容要尽量靠近芯片放置; 6、MIC走线用模拟地屏蔽并远离数字IO走线。

7.5K R40 10K R42 15K R44 20K

RTC6218/QN8065兼容注意事项: 1.RTC6218与 QN8065引脚兼容; 2.天线参数不相同,RTC6218建议使用220nH,QN8065建议使用470nH; 3.RTC6218 VCC可直连VDD33,可不使用电阻; 4.RTC6218、QN8065均不支持独立晶振。

GND必须使用0R电阻, P13拉低上电进入升级FLASH程序模式。

SPI_Flash方案FM抗干扰注意事项: 1.FM不能与SPI_Flash共用数字地,FM需要放置在模拟地,SPI_Flash放置在数字地。隔离地线传导干扰。 2.SPI_Flash部分,可以分别在电源与地线串联磁珠。隔离SPI通信时,电源上产生的干扰。 3.FM部分,可以在电源上串联磁珠,隔离电源干扰。 4.SPI_Flash靠近主控放置,数据线尽量短。 5.FM放置位置应该尽量远离SPI_Flash与MCU。 6.FM天线尽量不要靠近SPI_Flash与MCU。

ADKEY

FM VDDLDO R59 100K U4

M H Z

M P3

VDDHP C60

C

AGND G F E D C B

A 7 6 5 4 3 2 1 LCD_D6 LCD_D5 LCD_D4 LCD_D3 LCD_D2/PHIN LCD_D1/LINEIN LCD_D0 NC/105

IR2 MICIN C63 104

R51 6.8K

VDDIO U9 SPI_CS

SPI FLASH大小选择: 1.当(.bin文件大小+128KByte)≤512KByte时,选择512KByte SPI FLASH; 2.当512KByte<(.bin文件大小+128KByte)≤1MByte时,选择1MByte SPI FLASH; 3.当1MByte<(.bin文件大小+128KByte)≤2MByte时,选择2MByte SPI FLASH。

C SOP-8 C80 100uF/16V C4 10uF OUTROUTR+ OUTRJ1

1 AT 2 D N D 3 G

VDDIO

IRDAT

C67 NC/102

+ MIC

L15 600R@100MHz

1 2 3 4

CS VCC DO HOLD WP SCK GND DIO 4Mbits(512KByte) R43 240R

8 7 6 5

MUTE C5 SPI_CLK SPI_DAT

CW6685C需要使用外部FLASH; CW6685D内置512KByte FLASH,不需要焊接FLASH。

AGND 105 R2 10K

1 2 3 4

SD BYP IN+ IN4911 R3 30K

VO2 GND VDD VO1

8 7 6 5

OUTR+

GND VDDLDO 1 2 OUT

AU XU SB

IR

VC C

FM SD

GND GND AGND 建议MIC偏置电压约为1.5V

DACR C6 104

SEG_LED8888_7P

FLASH第4PIN串磁珠,减少对FM的干扰

7PIN LED D5

IR R67 RED D4电池电量主控内部检测 1N5817 R62 R64 4.7K DCIN R1 100K 4R7 DC_DET 1K

MIC GND 硬开关

CW6685C SPI FLASH VDDIO 外部软开关

PA GND 5 R63 4R7 SD_CMD/IIC_CLK USB2 C81 105 SD_CLK SD_DAT/IIC_DAT R69

J2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 SD2 SD3 SCMD VDD SCLK VSS SD0 SD1 CD SHEET

TF3

版本更新说明: 1、版本号更新为V1.2; 2、更改内置软开关关机电流大小; 3、为提高RF性能,第37PIN电容C43需更改为10uF; 4、增加LDO线性电源说明。

+5V J9

VBAT

VBAT SW2

VDDLDO

VBAT Q1 ATS03 R20 100K

VDDLDO D1

ADKEY

VDDLDO 1 USBDM 2 USBDP 3 4 GND

S1 BAT54C POWER_KEY IRTWKO

D

5V DC

BT2 R66 5.1K插入DC5V时,通过IRTWKO唤醒 3.4V~4.2V

R65 100R

+5V DM DP GND 6

D

主控,如果不需要充电唤醒功能, R68 R1可以为0R。 0R

R21

Q2 9014C GND 硬开关时,R65 100R用于放电,建议保留焊盘。

100K R22 100K

2K

BUILDWIN INTERNATIONAL(ZHUHAI) LIMITED Project: CW6685C CW6685D LQFP48 BT MP3 BOOMBOX V1.2 SCH. NO.: PCB. NO.: Date: 7

SD_DET复用SD_CLK

GND+5V GND

GND

AGND GND

POWER/TF/USB 1 2

通过USB或TF接口,P13拉低上电可在线升级FLASH程序;通过TF卡,P13拉低上电可离线升级FLASH程序。

Drawn by: Checked by: Approved by:

Version: 1.2 Sheet: Size: 8

1/1 A3

2014-12-09

3

4

5

6

CW6685C CW6685D LQFP48 BT MP3 BOOMBOX V1.2(2014.12.09)

相关文档
热门文档
你可能喜欢
评论